光伏产业中抗pid臭氧发生器制备氧化硅工艺
抗PID晶体硅太阳能电池的制备方法，该抗PID晶体硅太阳能电池在硅基片和氮化硅之间制备一层氧化硅，从而抗PID的效果，所述氧化硅使用臭氧氧化工艺制备而成。
所述臭氧氧化工艺包括步骤：
1）提供一经过扩散处理后的硅基片；
2）对所述硅基片进行清洗；
3）将所述硅基片至臭氧臭氧中，使硅基片的扩散面在臭氧中氧化，直至该氧化作用自然停止，得到所需的氧化硅层。
硅基片清洗包括：使用HF溶液清洗去除所述硅基片表面的磷硅玻璃层，所述HF溶液的体积浓度为2〜8％，清洗温度为10 〜30°C，清洗时间为10〜200s。
所述臭氧由臭氧发生器提供，该臭氧的浓度为5〜100ppm。氧化动作所需的处理时间为3s〜60min，温度为15〜25°C，得到的所述氧化娃层的厚度为0.6〜2nm。
步骤2）和步骤3）之间的间隔时间小于30min。
所述臭氧氧化工艺之后，还包括步骤4）：在氧化硅层表面沉积氮化硅层。所述氮化硅层的厚度在80〜90nm之间。
所述步骤3）和步骤4）之间的间隔时间小于30min，或者当所述步骤3）和步骤4）之间的间隔时间超过30min时，对所述硅基片实施一清洗动作，以去除表面的自然氧化层。
该步骤基于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司2014-04-03提交的《一种抗pid晶体硅太阳能电池制作方法》
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半导体用高浓度可调臭氧发生器
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